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[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？十億？百億？

隨著電子封裝技術逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術瓶頸。

2023-10-06 http://www.51xbc.cn/Article/taocijibansc.html
[行業(yè)動態(tài)]電子封裝陶瓷基片材料的種類

現(xiàn)代微電子技術發(fā)展異常迅速，電子系統(tǒng)及設備向大規(guī)模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向發(fā)展。電子系統(tǒng)集成度的提高將導致功率密度升高，以及電子元件和系統(tǒng)整體工作產生的熱量增加，因此，有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題。電子封裝基片材料作為一種底座電子元件，主要為電子元器件及其相互聯(lián)線提供機械承載支撐、氣密性保護和促進電氣設備的散熱。

2023-10-04 http://www.51xbc.cn/Article/taocijipiandezhonglei.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進行可靠性進行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.51xbc.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑

電路板被很多人譽為電子產品之母，它是計算機、手機等消費電子產品的關鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應用?？v觀全球技術發(fā)展簡史，每一次技術進步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設備都包含許多電線，它們不僅會糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個問題對于電路相關的工作人員來說是個非常頭疼的問題。1925年，來自美國的Charles Ducas提出了一個前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進行電鍍以制造用于布線的導體，專業(yè)術語“PCB”由此而來，這種方法使制造電器電路變得更為簡單。

2023-08-25 http://www.51xbc.cn/Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進程大幅超過市場預期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機構的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復合增長率為7.5%左右。預計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達到約20億美元，年復合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://www.51xbc.cn/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板的金屬化工藝

氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的電性能和熱性能，被認為是最具有前途的高熱導陶瓷基片材料。為了封裝結構的密封，元器件搭載及輸入、輸出端子的連接等目的，氮化鋁陶瓷基板表面及內部均需要金屬化。

2023-07-20 http://www.51xbc.cn/Article/danhulvtaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場到底有多大？

隨著電子封裝技術逐漸向著小型化、高密度、多功能和高可靠性方向發(fā)展，電子系統(tǒng)的功率密度隨之增加，散熱問題越來越嚴重。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展電子器件的技術瓶頸。

2023-07-10 http://www.51xbc.cn/Article/taocijibandeshichang.html
[行業(yè)動態(tài)]精密陶瓷：解決半導體產業(yè)“卡脖子”問題的關鍵！

在半導體產業(yè)中，半導體制造設備是我國卡脖子的問題，也是重點鼓勵發(fā)展的產業(yè)。近幾年，隨著國家政策的調整，半導體行業(yè)迅速發(fā)展，產業(yè)規(guī)模急速增大，半導體制造設備持續(xù)向精密化、復雜化演變，高精密陶瓷關鍵部件的技術要求也越來越高。

2023-06-30 http://www.51xbc.cn/Article/jingmitaocijiejueban.html
[行業(yè)動態(tài)]航天航空設備為什么會選擇陶瓷基板作為材料？

在普通耐火陶瓷纖維板中，使用環(huán)氧樹脂和玻璃纖維板。除玻纖板外，其余均為有機板。因此，在宇宙射線的照射下很容易發(fā)生化學反應，改變其分子結構，使產品變形。這就是它不能用于航空航天的原因。與陶瓷相比，普通PCB基板密度更低、重量更輕，有利于長距離運輸。環(huán)氧樹脂板韌性高，不易碎。

2023-06-28 http://www.51xbc.cn/Article/hangtianhangkongsheb.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板制備方法

陶瓷金屬化技術起源于20世紀初期的德國，1935年德國西門子公司Vatter第一次采用陶瓷金屬化技術并將產品成功實際應用到真空電子器件中，1956年Mo-Mn法誕生，此法廣泛適用于電子工業(yè)中的氧化鋁陶瓷與金屬連接。對于今天，大功率器件逐漸發(fā)展，陶瓷基板又因其優(yōu)良的性能成為當今電子器件基板及封裝材料的主流，因此，實現(xiàn)陶瓷與金屬之間的可靠連接是推進陶瓷材料應用的關鍵。

2023-06-21 http://www.51xbc.cn/Article/taocijibanzhibeifang.html
[行業(yè)動態(tài)]常用的八大陶瓷基板材料導熱率排行榜

導熱率，也稱為熱導率，是描述物質傳遞熱量能力的物理量。它表示單位時間內，單位面積上的熱量傳遞量與溫度梯度之比。導熱率越大，物質對熱量的傳遞能力越強。在熱傳導過程中，導熱率是一個非常重要的參數(shù)，決定了物質的熱傳導速度。在工程和科學研究中，導熱率通常用來評估材料的熱性能，以便進行材料的選擇和設計。

2023-06-19 http://www.51xbc.cn/Article/changyongdebadataoci.html
[行業(yè)動態(tài)]常見陶瓷基板PCB板介紹

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結構技術和互連技術的基礎材料。

2023-06-16 http://www.51xbc.cn/Article/changjiantaocijibanP.html
[行業(yè)動態(tài)]DPC陶瓷基板國產化突破，下游多點開花成長空間廣闊

熱是影響大功率半導體器件可靠性的關鍵因素，根據(jù)化合積電，電子元器件 55%故障率來自熱失效，電子元器件溫度每升高 2 度，可靠性下降 10%。電子元器件器件熱管理包括封裝和系統(tǒng)性能兩個部分。從封裝角度出發(fā)，器件散熱主要依靠熱傳導方式，熱量沿著芯片-鍵合層-基板-散熱器傳導，最后通過對流耗散到空氣中。封裝基板作為大功率半導體器件重要的散熱通道，其選擇和結構設計對性能至關重要。

2023-06-09 http://www.51xbc.cn/Article/DPCtaocijibanguochan.html
[行業(yè)動態(tài)]一文了解直接鍍銅（DPC）陶瓷基板

直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。

2023-05-29 http://www.51xbc.cn/Article/yiwenliaojiezhijiedu.html
[行業(yè)動態(tài)]DBA直接覆鋁陶瓷基板：功率器件封裝材料來勢洶洶??！

隨著電子技術的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關注的材料之一。今天，我們就來一起探討DBA基板的特點和應用前景。

2023-05-19 http://www.51xbc.cn/Article/DBAzhijiefulvtaociji.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領域功率模塊封裝的不可或缺的關鍵基礎材料。

2023-04-17 http://www.51xbc.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常見問題]銅基板和陶瓷基板有什么區(qū)別呢？

銅基板陶瓷基板都是具有電氣性能的電路板，都使用在高頻和高溫產品領域，但是陶瓷基板銅基板有什么區(qū)別呢...

2023-04-07 http://www.51xbc.cn/Article/tongjibantaocijibany.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁（AlN?）陶瓷基板的制備工藝

氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能，是近年來受到廣泛關注的新一代先進陶瓷，具有高熱導率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性，與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無毒性等優(yōu)點，使其成為高密度、大功率和高速集成電路基板和封裝的理想材料。

2023-03-31 http://www.51xbc.cn/Article/danhualvAlNtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊構成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結構。圖1為普通IGBT模塊的結構示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結構構成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎上發(fā)展而來，但與傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGBT模塊省去了內部的陰極和陽極金屬層，分別由芯片表面引出的焊線及DBC上層銅板代替。除此之外，原先的鎳金屬緩沖層也被去掉了，其代價是單個IGBT芯片的容量減少。為了彌補這一缺陷，需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。IGBT模塊是由不同的材料層構成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用來改善器件相關熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導率存在很大的差異，在器件的工作過程中會出現(xiàn)意想不到的問題。物理上，熱導率代表了物體導熱性能的

2023-03-16 http://www.51xbc.cn/Article/IGBTmokuaigouchengge.html
[行業(yè)動態(tài)]制備高導熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產業(yè)化，但高導熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨特的化學成分和微觀結構說起。晶格氧對高導熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機制是晶格振動，通過聲子來傳導熱量。晶格振動并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質以及晶粒界面都會引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導率?！锜Y體的典型微觀結構研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://www.51xbc.cn/Article/zhibeigaodaoredanhua.html