氮化鋁（AlN）陶瓷憑借與硅芯片相近的熱膨脹系數(shù)、優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性能、良好的耐沖擊特性、高絕緣電阻、高介電強(qiáng)度，以及可實(shí)現(xiàn)多層布線等顯著優(yōu)勢(shì)，成為集成電路散熱基板材料領(lǐng)域備受矚目的新星?；瘜W(xué)鍍作為陶瓷表面金屬化的常用技術(shù)手段，具備操作簡(jiǎn)便、成本低廉、節(jié)能且環(huán)保等諸多優(yōu)點(diǎn)。目前，關(guān)于 AlN 陶瓷表面化學(xué)鍍銅的研究已廣泛開展，但針對(duì)熱處理對(duì) Cu-AlN 體系組織與性能影響的研究卻相對(duì)匱乏?；诖?，金瑞欣研究采用化學(xué)鍍銅技術(shù)實(shí)現(xiàn) AlN 陶瓷表面的金屬化處理，并深入探究熱處理對(duì)銅層物相結(jié)構(gòu)、膜基熱導(dǎo)率以及膜基結(jié)合力的影響規(guī)律?

在對(duì) AlN 陶瓷基板實(shí)施化學(xué)鍍銅之前，需依次進(jìn)行除油、粗化、敏化、活化等預(yù)處理操作，具體流程如下圖所示。首先，將 AlN 陶瓷基板置于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 4% 的 NaOH 溶液中進(jìn)行堿洗處理，以此去除基板表面附著的油污和雜質(zhì)。隨后，采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 10% 的 HNO?溶液進(jìn)行粗化處理，該步驟旨在增加陶瓷基板表面的粗糙度，通過擴(kuò)大膜層與基板間的比表面積，進(jìn)而顯著提升鍍層與基板之間的結(jié)合力。而敏化處理則是使基板表面吸附一層具有還原性的離子，這些離子能夠還原具有催化作用的貴金屬離子；緊接著進(jìn)行活化處理，在基板表面均勻沉積一層具有催化活性的貴金屬原子層，從而誘發(fā)后續(xù)的化學(xué)鍍反應(yīng)。本實(shí)驗(yàn)中，敏化液采用 SnCl?溶液，活化液采用 PbCl?溶液。完成預(yù)處理后，即可開展化學(xué)鍍工序?；瘜W(xué)鍍液的具體配方如下：10 - 15 g/L CuSO4·5H2O、20 - 30 mL/L 甲醛、10 - 15 g/L 酒石酸鉀鈉、10 - 15 g/LEDTA2Na、10 - 20 mg/L 2’2 - 聯(lián)吡啶、10 - 20 mg/L 亞鐵氰化鉀。在 pH 值為 12.5、溫度 45℃的鍍液環(huán)境中施鍍 1 小時(shí)，便可獲得覆銅 AlN 基板。之后，對(duì)所得覆銅 AlN 基板進(jìn)行熱處理，熱處理工藝為：在 200 - 500℃的高純 Ar 氣氛保護(hù)下保溫 1 小時(shí)。

金瑞欣采用高分辨 X 射線衍射儀（Rigaku SmartLab 9kw）、掃描電子顯微鏡（HITACHI SU8220）及其附帶的 EDS 能譜，對(duì)鍍層的成分和表面形貌進(jìn)行表征分析；利用激光導(dǎo)熱儀（LFA467）測(cè)量基板的熱擴(kuò)散系數(shù)，并據(jù)此計(jì)算基板的熱導(dǎo)率；借助 MFT - 4000 型多功能材料表面性能試驗(yàn)儀，通過劃痕法測(cè)定膜層的結(jié)合力，具體測(cè)試參數(shù)為：劃痕長(zhǎng)度 5 mm，加載速度 50 N/min，最終載荷 50 N。

10多年來，金瑞欣一直專注于陶瓷電路板的研發(fā)生產(chǎn)，有豐富的陶瓷電路板制造經(jīng)驗(yàn)。精通DPC、AMB、DBC、LTCC、HTCC制作工藝;擁有先進(jìn)陶瓷生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，以快速的交期和穩(wěn)定的品質(zhì)滿足客戶的研發(fā)進(jìn)程和生產(chǎn)需要，品質(zhì)優(yōu)先，占領(lǐng)市場(chǎng)先機(jī)。陶瓷板交期打樣7~10天，批量10~15天，具體交期要看陶瓷電路板圖紙、加工要求及其難度，快速為您定制交期，以“品質(zhì)零缺陷”為宗旨，提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。